芯片🚀纳米级光刻机引领半导体制造新纪元

极紫外光刻

当前半导体制造最前沿的光刻技术,使用波长为13.5纳米的极紫外光。

High-NA EUV

高数值孔径极紫外光刻技术,这是2025年最尖端的光刻系统，其数值孔径从0.33提升至0.55，实现了更高的分辨率和更小的工艺节点。

埃米时代

半导体制造进入后纳米时代,工艺节点开始以埃米（Å，1纳米=10埃米）为单位（如Intel 18A、14A等），High-NA EUV是实现埃米级制造的关键。

晶体管微缩

光刻技术的进步直接推动了晶体管尺寸的持续微缩,使得在单一芯片上集成数百亿甚至上千亿个晶体管成为可能。

先进制程

指采用最尖端光刻等技术实现的半导体制造工艺,如3nm、2nm及以下的制程技术。

晶圆代工

台积电、三星、英特尔等巨头竞相部署High-NA EUV光刻机，以争夺下一代先进制程的技术领先权和市场份额。

产业链突破

光刻机的进步带动了整个半导体产业链的升级,包括光刻胶、掩膜版、计量检测设备、EDA软件等都必须同步发展。

算力革命

更先进的芯片为人工智能、高性能计算、自动驾驶等领域提供了前所未有的算力基础，开启了新的创新纪元。

技术挑战

纳米级光刻面临巨大的技术挑战,包括光源功率、缺陷控制、成本飙升（单台High-NA EUV设备成本超3亿美元）和复杂性呈指数级增长。

地缘战略

尖端光刻技术已成为全球科技竞争和地缘政治的战略焦点,各国均将其视为国家技术主权的核心。